ტერაჰერცის წყაროები ყოველთვის იყო ერთ-ერთი ყველაზე მნიშვნელოვანი ტექნოლოგია THz გამოსხივების სფეროში. მრავალი გზა დადასტურდა ფუნქციონალური THz გამოსხივების მისაღწევად. როგორც წესი, ტელეტექნიკა და ფოტონიკის ტექნოლოგიები.ფოტონიკის სფეროში, არაწრფივი ოპტიკური განსხვავება-სიხშირის წარმოქმნა, რომელიც დაფუძნებულია დიდ არაწრფივ კოეფიციენტზე, მაღალი ოპტიკური დაზიანების ზღურბლზე, არაწრფივი კრისტალებით, არის ერთ-ერთი გზა მაღალი სიმძლავრის, რეგულირებადი, პორტატული და ოთახის ტემპერატურის მოქმედი THz ტალღის მისაღებად.ძირითადად გამოიყენება GaSe და ZnGeP2(ZGP) არაწრფივი კრისტალები.
GaSe კრისტალები დაბალი აბსორბციით მილიმეტრულ და THz ტალღაზე, მაღალი დაზიანებული ზღურბლით და მაღალი მეორე არალეგალური კოეფიციენტით (d22 = 54 pm/V), ჩვეულებრივ გამოიყენება ტერაჰერცის ტალღის დასამუშავებლად 40μm-ში და ასევე გრძელი ტალღის რეგულირებადი Thz ტალღის (40μm-ს მიღმა).დადასტურდა, რომ რეგულირებადი THz ტალღა 2.60 -39.07 μm-ზე, როდესაც შესატყვისი კუთხე 11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)], და 2.60 -36.68 μm გამომავალი კუთხით 12.19°-27.01°[eoe (e) - o = ე)].გარდა ამისა, 42.39-5663.67μm რეგულირებადი THz ტალღა მიიღეს, როდესაც მატჩის კუთხე 1.13°-84.71°-ზე [oee (o - e = e)].
ZnGeP2 (ZGP) კრისტალები მაღალი არაწრფივი კოეფიციენტით, მაღალი თბოგამტარობით, მაღალი ოპტიკური დაზიანებული ზღურბლით ასევე გამოკვლეულია, როგორც შესანიშნავი THz წყარო.ZnGeP2-ს ასევე აქვს მეორე არაწრფივი კოეფიციენტი d36 = 75 pm/V), რაც KDP კრისტალების 160-ჯერ მეტია.ZGP კრისტალების ორი ტიპის ფაზის შესატყვისი კუთხე (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]), რომლებიც ამუშავებენ ანალოგიურ THz გამომავალს (43.01 -5663.67 μm), oeo ტიპი უკეთესი არჩევანი იყო მისი უფრო მაღალი ეფექტური არაწრფივი კოეფიციენტის გამო.ძალიან დიდი ხნის განმავლობაში, ZnGeP2 კრისტალების გამომავალი ეფექტურობა, როგორც ტერაჰერცის წყარო შეზღუდული იყო, რადგან სხვა მომწოდებლების ZnGeP2 კრისტალს აქვს მაღალი შთანთქმა ინფრაწითელ რეგიონში (1-2μm): შთანთქმის კოეფიციენტი >0.7cm-1 @1μm და >0.06 სმ-1@2μm.თუმცა, DIEN TECH უზრუნველყოფს ZGP( მოდელი: YS-ZGP) კრისტალებს სუპერ დაბალი შთანთქმით: შთანთქმის კოეფიციენტი<0.35cm-1@1μm და <0.02cm-1@2μm.მოწინავე YS-ZGP კრისტალები მომხმარებლებს საშუალებას აძლევს მიაღწიონ ბევრად უკეთეს გამომუშავებას.
მითითება:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 წ.ფიზ.სოც.
