Nd: YVO4 კრისტალები
Nd:YVO4 არის ყველაზე ეფექტური ლაზერული მასპინძელი კრისტალი დიოდური ტუმბოსთვის მიმდინარე კომერციულ ლაზერულ კრისტალებს შორის, განსაკუთრებით დაბალი და საშუალო სიმძლავრის სიმკვრივისთვის.ეს ძირითადად გამოწვეულია მისი შთანთქმის და გამოსხივების მახასიათებლებით, რომლებიც აღემატება Nd:YAG-ს.ლაზერული დიოდებით ამოტუმბული Nd:YVO4 კრისტალი ჩართულია მაღალი NLO კოეფიციენტის კრისტალებთან (LBO, BBO, ან KTP), რათა გადაიტანოს გამომავალი სიხშირე ახლო ინფრაწითელიდან მწვანეზე, ლურჯ ან თუნდაც UV-ზე.ეს ინტეგრაცია ყველა მყარი მდგომარეობის ლაზერის ასაგებად არის იდეალური ლაზერული ხელსაწყო, რომელსაც შეუძლია დაფაროს ლაზერების ყველაზე გავრცელებული აპლიკაციები, მათ შორის დამუშავება, მასალის დამუშავება, სპექტროსკოპია, ვაფლის შემოწმება, სინათლის ჩვენება, სამედიცინო დიაგნოსტიკა, ლაზერული ბეჭდვა და მონაცემთა შენახვა და ა.შ. ნაჩვენებია, რომ Nd:YVO4-ზე დაფუძნებული დიოდური ტუმბოს მყარი მდგომარეობის ლაზერები სწრაფად იკავებენ ბაზრებს, სადაც ტრადიციულად დომინირებს წყლის გაგრილებული იონური ლაზერები და ნათურებით ამოტუმბული ლაზერები, განსაკუთრებით მაშინ, როდესაც საჭიროა კომპაქტური დიზაინი და ერთჯერადი გრძივი რეჟიმის გამომავალი გამომავალი.
Nd:YVO4-ის უპირატესობები Nd:YAG-თან შედარებით:
• დაახლოებით ხუთჯერ უფრო მაღალი შთანთქმის ეფექტური ტუმბოს ფართო გამტარუნარიანობაზე, დაახლოებით 808 ნმ (შესაბამისად, ტუმბოს ტალღის სიგრძეზე დამოკიდებულება გაცილებით დაბალია და ძლიერი ტენდენციაა ერთი რეჟიმის გამომავალზე);
• სამჯერ უფრო დიდი სტიმულირებული ემისიის განივი კვეთა ლაზირის ტალღის სიგრძეზე 1064 ნმ;
• ქვედა ლაზირების ბარიერი და უფრო მაღალი დახრილობის ეფექტურობა;
• როგორც ცალღერძული კრისტალი დიდი ორმხრივი შეფერხებით, ემისია არის მხოლოდ წრფივი პოლარიზებული.
Nd:YVO4-ის ლაზერული თვისებები:
• Nd:YVO4-ის ერთ-ერთი ყველაზე მიმზიდველი მახასიათებელია, Nd:YAG-თან შედარებით, მისი 5-ჯერ უფრო დიდი შთანთქმის კოეფიციენტი უფრო ფართო შთანთქმის გამტარუნარიანობაში 808 ნმ პიკური ტუმბოს ტალღის სიგრძის გარშემო, რაც ემთხვევა ამჟამად ხელმისაწვდომი მაღალი სიმძლავრის ლაზერული დიოდების სტანდარტს.ეს ნიშნავს უფრო პატარა კრისტალს, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას ლაზერისთვის, რაც გამოიწვევს უფრო კომპაქტურ ლაზერულ სისტემას.მოცემული გამომავალი სიმძლავრისთვის, ეს ასევე ნიშნავს სიმძლავრის დაბალ დონეს, რომელზედაც ლაზერული დიოდი მუშაობს, რაც ახანგრძლივებს ძვირადღირებული ლაზერული დიოდის სიცოცხლეს.Nd:YVO4-ის უფრო ფართო შთანთქმის გამტარუნარიანობა, რომელიც შეიძლება მიაღწიოს 2.4-დან 6.3-ჯერ აღემატება Nd:YAG-ს.უფრო ეფექტური ტუმბოს გარდა, ეს ასევე ნიშნავს დიოდის სპეციფიკაციების შერჩევის უფრო ფართო სპექტრს.ეს სასარგებლო იქნება ლაზერული სისტემის შემქმნელებისთვის უფრო ფართო ტოლერანტობისთვის დაბალი ფასის არჩევანისთვის.
• Nd:YVO4 კრისტალს აქვს უფრო დიდი სტიმულირებული ემისიის განივი კვეთები, როგორც 1064nm, ასევე 1342nm.როდესაც a-ღერძი ჭრის Nd:YVO4 კრისტალს 1064 მ-ზე, ის დაახლოებით 4-ჯერ აღემატება Nd:YAG-ს, ხოლო 1340 ნმ-ზე სტიმულირებული განივი კვეთა 18-ჯერ დიდია, რაც იწვევს CW ოპერაციას, რომელიც მთლიანად აღემატება Nd:YAG-ს. 1320 ნმ-ზე.ეს ხდის Nd:YVO4 ლაზერს ადვილად შეინარჩუნოს ძლიერი ერთი ხაზის ემისია ორ ტალღის სიგრძეზე.
• Nd:YVO4 ლაზერების კიდევ ერთი მნიშვნელოვანი მახასიათებელია, რადგან ის არის ცალღერძიანი და არა მაღალი კუბური სიმეტრია, როგორც Nd:YAG, ის ასხივებს მხოლოდ წრფივად პოლარიზებულ ლაზერს, რითაც თავიდან აიცილებს არასასურველ ორრეფრინგენტულ ეფექტს სიხშირის კონვერტაციაზე.მიუხედავად იმისა, რომ Nd:YVO4-ის სიცოცხლის ხანგრძლივობა დაახლოებით 2,7-ჯერ უფრო მოკლეა, ვიდრე Nd:YAG, მისი დახრილობის ეფექტურობა შეიძლება მაინც საკმაოდ მაღალი იყოს ლაზერული ღრუს სწორი დიზაინისთვის, მისი მაღალი ტუმბოს კვანტური ეფექტურობის გამო.
| ატომური სიმკვრივე | 1.26×1020 ატომები/სმ3 (Nd1.0%) |
| კრისტალური სტრუქტურის უჯრედის პარამეტრი | ცირკონის ტეტრაგონალი, კოსმოსური ჯგუფი D4h-I4/amd a=b=7.1193Å,c=6.2892Å |
| სიმჭიდროვე | 4.22 გ/სმ3 |
| მოჰს სიხისტე | 4-5 (მინის მსგავსი) |
| თერმული გაფართოების კოეფიციენტი(300K) | αa=4,43×10-6/კ αc=11,37×10-6/კ |
| თბოგამტარობის კოეფიციენტი(300K) | ∥C:0,0523 ვტ/სმ/კ ⊥C:0,0510 ვტ/სმ/კ |
| ლაზინგის ტალღის სიგრძე | 1064 ნმ,1342 ნმ |
| თერმული ოპტიკური კოეფიციენტი(300K) | dno/dT=8,5×10-6/K dne/dT=2.9×10-6/K |
| სტიმულირებული ემისიის განივი | 25×10-19 სმ2 @ 1064 ნმ |
| ფლუორესცენტური სიცოცხლის ხანგრძლივობა | 90 μs (1%) |
| შთანთქმის კოეფიციენტი | 31.4სმ-1 @810ნმ |
| შინაგანი დანაკარგი | 0.02 სმ-1 @1064 ნმ |
| მოიპოვეთ გამტარობა | 0.96nm@1064nm |
| პოლარიზებული ლაზერული გამოსხივება | პოლარიზაცია;ოპტიკური ღერძის პარალელურად (c ღერძი) |
| დიოდის ტუმბოს ოპტიკური ოპტიკური ეფექტურობა | >60% |
Ტექნიკური პარამეტრები:
| ჩამფერი | <λ/4 @ 633nm |
| განზომილებიანი ტოლერანტები | (W±0.1მმ)x(H±0.1მმ)x(L+0.2/-0.1მმ)(L＜2.5 მმ)(W±0.1მმ)x(H±0.1მმ)x(L+0.5/-0.1მმ)(L＞2.5 მმ) |
| სუფთა დიაფრაგმა | ცენტრალური 95% |
| სიბრტყე | λ/8 @ 633 ნმ, λ/4 @ 633 ნმ(ტკიპა 2 მმ-ზე ნაკლები) |
| ზედაპირის ხარისხი | 10/5 Scratch/Dig თითო MIL-O-1380A |
| პარალელიზმი | უკეთესია ვიდრე 20 რკალი წამი |
| პერპენდიკულარულობა | პერპენდიკულარულობა |
| ჩამფერი | 0.15x45 გრადუსი |
| საფარი | 1064 ნმ,R＜0.2%；HR საფარი:1064 ნმ,R＞99.8%,808 ნმ,T＞95% |
პროდუქტების კატეგორიები
-
ტელეფონი
ტელეფონი
-
ელფოსტა
ელფოსტა
-
whatsapp
whatsapp
-
ვეჩატი
ვეჩატი
-
ზედა
