BGSe-ის მაღალი ხარისხის კრისტალები (BaGa4Se7) არის ქალკოგენიდური ნაერთის BaGa4S7 სელენიდის ანალოგი, რომლის აცენტრული ორთორმბული სტრუქტურა გამოვლინდა 1983 წელს და IR NLO ეფექტი დაფიქსირდა 2009 წელს, არის ახლად განვითარებული IR NLO კრისტალი.იგი მიიღეს Bridgman-Stockbarger-ის ტექნიკით.ეს კრისტალი ავლენს მაღალ გამტარობას 0.47-18 μm ფართო დიაპაზონში, გარდა შთანთქმის პიკისა დაახლოებით 15 μm.
(002) პიკური ქანების მრუდის FWHM არის დაახლოებით 0,008° და გამტარობა გაპრიალებული 2 მმ სისქის (001) ფირფიტის მეშვეობით არის დაახლოებით 65% ფართო დიაპაზონში 1-14 μm.კრისტალებზე გაზომეს სხვადასხვა თერმოფიზიკური თვისებები.
თერმული გაფართოების ქცევა BaGa4Se7-ში არ ავლენს ძლიერ ანიზოტროპიას αa=9,24×10−6 K−1, αb=10,76×10−6 K−1 და αc=11,70×10−6 K−1 სამი კრისტალოგრაფიული ღერძის გასწვრივ. .298 K-ზე გაზომილი თერმული დიფუზურობის/თერმოგამტარობის კოეფიციენტები არის 0,50(2) mm2 s−1/0,74(3) W m−1 K−1, 0,42(3) mm2 s−1/0,64(4) W m−1 K−1, 0,38(2) mm2 s−1/0,56(4) W m−1 K−1, a, b, c კრისტალოგრაფიული ღერძის გასწვრივ შესაბამისად.
გარდა ამისა, ზედაპირული ლაზერის დაზიანების ბარიერი გაზომილი იყო 557 MW/cm2 Nd:YAG (1.064 μm) ლაზერის გამოყენებით 5 ns პულსის სიგანე, 1 Hz სიხშირე და D=0.4 მმ ლაქის ზომა.
BGSe (BaGa4Se7) კრისტალი ავლენს ფხვნილის მეორე ჰარმონიული თაობის (SHG) პასუხს, რომელიც დაახლოებით 2-3-ჯერ აღემატება AgGaS2-ს.ზედაპირის ლაზერის დაზიანების ბარიერი დაახლოებით 3,7-ჯერ აღემატება AgGaS2 კრისტალს იდენტურ პირობებში.
BGSe კრისტალს აქვს დიდი არაწრფივი მგრძნობელობა და შეიძლება ჰქონდეს პრაქტიკული გამოყენების ფართო პერსპექტივა შუა IR სპექტრულ რეგიონში. ის გვიჩვენებს საინტერესო ტერაჰერცის ფონონ-პოლარიტონებს და მაღალ არაწრფივ კოეფიციენტებს ტერაჰერცის გენერირებისთვის.
IR ლაზერის გამომუშავების უპირატესობები:
ვარგისი სხვადასხვა სატუმბი წყაროსთვის (1-3μm)
ფართო რეგულირებადი IR გამომავალი დიაპაზონი (3-18μm)
OPA, OPO, DFG, შიდა ღრუ/ექსტრავიულობა, cw/პულსური ტუმბო
მნიშვნელოვანი შენიშვნა: ვინაიდან ეს არის ახალი ტიპის კრისტალი, კრისტალს შიგნით შეიძლება ჰქონდეს რამდენიმე ზოლი, მაგრამ ჩვენ არ ვიღებთ დაბრუნებას ამ დეფექტის გამო.
