არაწრფივი კრისტალები

ზრდის მეთოდები ჰორიზონტალური და ვერტიკალური ჩათვლით, ეს მასალები (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) ხელმისაწვდომია მოცემული სტანდარტული ზომებით და ორიენტირებით.ზოგიერთი მათგანი, ჩვენ მიერ მოწოდებული დიდი არაწრფივი კოეფიციენტით და უნიკალური განზომილებებით, ფართოდ გამოიყენება ჩვეულებრივ SHG, THG და შუა ინფრაწითელ OPO, OPA სისტემებში და ა.შ. პროდუქციის მიწოდება შესაძლებელია ანოდირებული ალუმინის დამჭერით ან მის გარეშე.

GaSe კრისტალი

გალიუმის სელენიდი (GaSe) არაწრფივი ოპტიკური ერთკრისტალი, რომელიც აერთიანებს დიდ არაწრფივ კოეფიციენტს, დაზიანების მაღალ ზღურბლს და გამჭვირვალობის ფართო დიაპაზონს.ეს არის ძალიან შესაფერისი მასალა SHG-სთვის შუა IR-ში.
ZGP(ZnGeP2) კრისტალები

ZGP კრისტალები, რომლებსაც გააჩნიათ დიდი არაწრფივი კოეფიციენტები (d36=75pm/V), ინფრაწითელი გამჭვირვალობის ფართო დიაპაზონი (0.75-12μm), მაღალი თბოგამტარობა (0.35W/(cm·K)), მაღალი ლაზერული დაზიანების ბარიერი (2-5J/cm2) და კარგად დამუშავების თვისება, ZnGeP2 კრისტალს უწოდეს ინფრაწითელი არაწრფივი ოპტიკური კრისტალების მეფე და კვლავ არის საუკეთესო სიხშირის კონვერტაციის მასალა მაღალი სიმძლავრის, რეგულირებადი ინფრაწითელი ლაზერის წარმოებისთვის.ჩვენ შეგვიძლია შემოგთავაზოთ მაღალი ოპტიკური ხარისხის და დიდი დიამეტრის ZGP კრისტალები უკიდურესად დაბალი შთანთქმის კოეფიციენტით α <0,05 სმ-1 (ტუმბოს ტალღის სიგრძეზე 2,0-2,1 μm), რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას საშუალო ინფრაწითელი რეგულირებადი ლაზერის შესაქმნელად მაღალი ეფექტურობით OPO ან OPA-ს საშუალებით. პროცესები.
AGSe(AgGaSe2) კრისტალები

AGSeAgGaSe2 კრისტალებს აქვთ ზოლის კიდეები 0.73 და 18 μm.მისი სასარგებლო გადაცემის დიაპაზონი (0,9–16 μm) და ფართო ფაზის შესატყვისი შესაძლებლობა იძლევა შესანიშნავ პოტენციალს OPO აპლიკაციებისთვის, როდესაც ტუმბოს სხვადასხვა ლაზერები.2.5-12 μm ფარგლებში მიღწეული იქნა ტუმბირება Ho:YLF ლაზერით 2.05 μm-ზე გადატუმბვისას;ისევე როგორც არაკრიტიკული ფაზის შესატყვისი (NCPM) ოპერაცია 1.9–5.5 μm ფარგლებში 1.4–1.55 μm ტუმბოს დროს.დადასტურებულია, რომ AgGaSe2 (AgGaSe2) არის სიხშირის გაორმაგების ეფექტური კრისტალი ინფრაწითელი CO2 ლაზერის გამოსხივებისთვის.
AGS (AgGaS2) კრისტალები

AGS გამჭვირვალეა 0.50-დან 13.2 მკმ-მდე.მიუხედავად იმისა, რომ მისი არაწრფივი ოპტიკური კოეფიციენტი ყველაზე დაბალია აღნიშნულ ინფრაწითელ კრისტალებს შორის, მაღალი მოკლე ტალღის სიგრძის გამჭვირვალობის კიდეები 550 ნმ-ზე გამოიყენება Nd:YAG ლაზერით ამოტუმბულ OPO-ებში;დიოდის, Ti:Sapphire, Nd:YAG და IR საღებავის ლაზერებით სიხშირის შერევის მრავალრიცხოვან ექსპერიმენტებში, რომლებიც მოიცავს 3-12 μm დიაპაზონს;პირდაპირი ინფრაწითელი კონტრზომების სისტემებში და CO2 ლაზერის SHG-სთვის.თხელი AgGaS2 (AGS) კრისტალური ფირფიტები პოპულარულია ულტრამოკლე იმპულსების გენერირებისთვის შუა IR დიაპაზონში განსხვავებულ სიხშირის გენერირებით NIR ტალღის სიგრძის იმპულსების გამოყენებით.
BGSe(BaGa4Se7) კრისტალები

BGSe-ის მაღალი ხარისხის კრისტალები (BaGa4Se7) არის ქალკოგენიდური ნაერთის BaGa4S7 სელენიდის ანალოგი, რომლის აცენტრული ორთორმბული სტრუქტურა გამოვლენილია 1983 წელს და IR NLO ეფექტი დაფიქსირდა 2009 წელს, არის ახლად განვითარებული IR NLO კრისტალი.იგი მიიღეს Bridgman-Stockbarger-ის ტექნიკით.ეს კრისტალი ავლენს მაღალ გამტარობას 0.47-18 μm ფართო დიაპაზონში, გარდა შთანთქმის პიკისა დაახლოებით 15 μm.
BGGSe(BaGa2GeSe6) კრისტალები

BaGa2GeSe6 კრისტალს აქვს მაღალი ოპტიკური დაზიანების ბარიერი (110 MW/cm2), ფართო სპექტრული გამჭვირვალობის დიაპაზონი (0,5-დან 18 μm-მდე) და მაღალი არაწრფივობა (d11 = 66 ± 15 pm/V), რაც ამ კრისტალს ძალიან მიმზიდველს ხდის. ლაზერული გამოსხივების სიხშირის კონვერტაცია შუა IR დიაპაზონში (ან ფარგლებში).