არაწრფივი კრისტალები, როგორიცაა ZnTe, <110> კრისტალური ორიენტაციის მქონე, შეიძლება გამოყენებულ იქნას OR-ში და FEOS-ში ნორმალური სიხშირით.თუმცა, <100> ორიენტაციის კრისტალებს არ გააჩნიათ არაწრფივი თვისებები, რომლებიც საჭიროა OR და FEOS-ისთვის, თუმცა მათი ხაზოვანი THz და ოპტიკური თვისებები იდენტურია <110>-ზე ორიენტირებული კრისტალების. მოთხოვნები წარმატებული THz წარმოქმნისთვის ან გამოვლენისთვის. ასეთ არაწრფივ კრისტალზე დაფუძნებულ THz-TDS სპექტრომეტრში არის ფაზის შესატყვისი ოპტიკური პულსის გენერირებასა და წარმოქმნილ (გამოვლენილ) THz სიგნალს შორის.მიუხედავად ამისა, არაწრფივი კრისტალები, რომლებიც შესაფერისია THz სპექტროსკოპიისთვის, აქვთ ძლიერი ოპტიკური ფონონური რეზონანსები THz დიაპაზონში, THz რეფრაქციული ინდექსის ძლიერი დისპერსია ზღუდავს ფაზის შესატყვისი სიხშირის დიაპაზონს.

სქელი არაწრფივი კრისტალები უზრუნველყოფენ THz-ოპტიკურ ფაზას, რომელიც ემთხვევა ვიწრო სიხშირის დიაპაზონს. ისინი მხარს უჭერენ წარმომქმნელი (გამომძიებელი) ლაზერული პულსის გამტარუნარიანობის მხოლოდ ნაწილს, ვინაიდან ოპტიკური და THz სიგნალები უფრო დიდ გასვლას განიცდიან გრძელ თანაგავრცელების მანძილზე.მაგრამ გენერირებული (გამოვლენილი) პიკური სიგნალის სიძლიერე ზოგადად მაღალია ხანგრძლივი თანაგავრცელების მანძილზე.

თხელი არაწრფივი კრისტალები უზრუნველყოფენ თჰზ-ოპტიკურ ფაზას კარგ შეხამებას გენერირების (გამომძიებელი) ლაზერული პულსის სრული გამტარობის ფარგლებში, მაგრამ გენერირებული (გამოვლენილი) სიგნალის სიძლიერე ჩვეულებრივ მცირეა, რადგან სიგნალის სიძლიერე პროპორციულია THz-ოპტიკური თანაგავრცელების დისტანციებზე. .

იმისათვის, რომ უზრუნველყოს ფართოზოლოვანი ფაზის შესატყვისი THz-ის გამომუშავებასა და გამოვლენაში და ამავე დროს შეინარჩუნოს სიხშირის გარჩევადობა საკმარისად მაღალი, DIEN TECH-მა წარმატებით შეიმუშავა რეფრაქციული კომბინირებული ZnTe კრისტალი - 10μm სისქის (110) ZnTe კრისტალი (100)ZnTe-ზე. გამოკლება.ასეთ კრისტალებში THz-ოპტიკური თანაგამრავლება გადამწყვეტია მხოლოდ ბროლის<110> ნაწილში და მრავალჯერადი არეკვლა უნდა მოიცავდეს კრისტალის სრულ კომბინირებულ სისქეს.