ამ ექსპერიმენტმა გამოიყენა აAGS კრისტალი8*8*1მმ ზომით და 8*8*0.4მმ ზომით (Theta=39deg.; Phi=45deg.), რომელიც ჩვეულებრივ გამოიყენება ულტრასწრაფ სისტემებში.მრუდიდან ვხედავთ, რომ დაფარვის წინ გამტარობა (ელემენტის ზომა 8*8*10მმ) 1მ-დან 8მმ-მდე საშუალო T>70%.მას შემდეგ, რაც ამ საფარის გამოყენება მიზნად ისახავდა ულტრასწრაფად გამოყენებას, გადაცემა 0.8მ-1უმმ-დან იყო დიდი ზრდა და ეს მონაცემები რჩება T>90% 1მუმ-დან 6მუმ-მდე.