AGSe კრისტალები

AGSe AgGaSe2 კრისტალებს აქვთ ზოლის კიდეები 0.73 და 18 μm.მისი სასარგებლო გადაცემის დიაპაზონი (0,9–16 μm) და ფართო ფაზის შესატყვისი შესაძლებლობა იძლევა შესანიშნავ პოტენციალს OPO აპლიკაციებისთვის, როდესაც ტუმბოს სხვადასხვა ლაზერები.2.5-12 μm ფარგლებში მიღწეული იქნა ტუმბირება Ho:YLF ლაზერით 2.05 μm-ზე გადატუმბვისას;ისევე როგორც არაკრიტიკული ფაზის შესატყვისი (NCPM) ოპერაცია 1.9–5.5 μm ფარგლებში 1.4–1.55 μm ტუმბოს დროს.დადასტურებულია, რომ AgGaSe2 (AgGaSe2) არის სიხშირის გაორმაგების ეფექტური კრისტალი ინფრაწითელი CO2 ლაზერის გამოსხივებისთვის.

ბროლის სტრუქტურა:ტეტრაგონალური

უჯრედის პარამეტრები:a=5.992 Å, c=10.886 Å

დნობის წერტილი:851 °C

სიმკვრივე:5.700 გ/სმ3

მოჰს სიხისტე:3-3,5

შთანთქმის კოეფიციენტი: <0,05 სმ-1 @ 1,064 მკმ
<0,02 სმ-1 @ 10,6 მკმ

ფარდობითი დიელექტრიკული მუდმივი @ 25 MHz:ε11s=10.5
ε11t=12.0

თერმული გაფართოების კოეფიციენტი:||C: -8,1 x 10-6 /°C
⊥C: +19,8 x 10-6 /°C

თერმული გამტარობა:1.0 ვტ/მ/°C

WhatsApp გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF